据南华早报报道，中国最大DRAM厂商长鑫存储计划投资349亿元人民币（约52亿美元）用于扩产，大部分资金将流向国产芯片设备供应商。公司9月28日晚间公告称，董事会已批准两项投资方案：241亿元用于技术研发项目，108亿元用于存储晶圆后道测试基地二期。这是长鑫存储7月27日登陆科创板、创下科创板最大募资纪录仅两个月后，抛出的首个大规模扩产计划。
投资方案细节
根据长鑫存储向上海证券交易所提交的披露文件，董事会在9月28日批准了这两项投资，公司于29日晚间通过交易所公告对外披露。其中，技术研发项目总投资241亿元（约36亿美元），建设周期30个月；存储晶圆后道测试基地二期总投资108亿元（约16亿美元），建设周期37个月。
资金安排上，两项合计将使用IPO超募资金180亿元（约27亿美元）——其中研发项目130亿元、测试基地50亿元。测试基地二期将由全资子公司长鑫存储技术（合肥）有限公司通过增资和借款的方式实施。两项投资在最终确定前，仍需经过股东大会批准。180亿元来自超募资金，其余资金的具体安排公司未在已披露信息中详细说明，以官方公布为准。
值得注意的是，名义上是“研发项目”，但资金绝大部分投向设备：241亿元中，223.98亿元（约33亿美元）用于设备购置，占比高达92.94%。据韩国媒体报道，研发项目计划在30个月内完成，目标是加速产品与工艺的代际切换，提升存储密度、能效与性能。项目将在公司位于安徽合肥经济技术开发区的现有12英寸存储晶圆制造基地内实施。
测试基地二期的定位是强化自有后道能力。通过自建存储晶圆后道测试与模组项目，公司可以更灵活地调配测试产能、降低DRAM芯片测试成本，并进一步完善IDM（垂直整合制造）模式，提升整体竞争力。这一解读来自市场分析对公司公告的梳理。
募资使用进度
本次动用的180亿元超募资金，约占IPO净募资额663.1亿元的27%，也相当于超募总额368亿元的近一半。据财经数据平台梳理，超过一半的超募资金被投向了追赶HBM（高带宽存储器）产能的方向，剩余约188亿元超募资金尚未安排用途。超募资金的使用效率，将直接影响市场对这次扩产计划的评价。从节奏上看，上市仅两个月，近一半超募资金就已安排投向。
国产设备商成主要受益方
南华早报引述知情人士称，这笔349亿元投资中的大部分将流向国产芯片设备供应商。结合研发项目92.94%的资金用于设备采购的披露，这一扩产计划被视为国产半导体设备厂商的重要订单来源。需要说明的是，“大部分资金流向国产设备商”的说法来自南华早报引述的知情人士，公司公告本身并未披露设备供应商的具体名单，相关细节以官方公布为准。
市场观察人士认为，在美中科技竞争加剧的背景下，长鑫存储的这一动作既反映了公司对DRAM市场需求前景的看好，也体现了其加强供应链自主可控的决心。存储芯片制造需要长期持续投入，新增产能从投资到转化为实际销售需要时间，执行效果与市场需求将决定这笔投资的回报节奏。以上为市场观察人士的观点，不构成投资建议。
还有分析指出，长鑫存储已进入高带宽存储器HBM3E的开发与生产阶段，而HBM需要比传统DRAM更先进的工艺、良率以及堆叠封装测试技术，本次对下一代DRAM技术的投入，有望为高性能DRAM的工艺升级打下基础。相关分析来自韩国媒体的报道，观点仅供参考。
从技术路线看，HBM通过垂直堆叠多颗DRAM芯片实现高带宽，对先进工艺、良率以及堆叠、封装和测试技术的要求都高于传统DRAM。分析人士认为，本次投资中的下一代DRAM技术研发，有望为高性能DRAM的工艺升级与良率提升打下基础，进而支撑HBM产能的爬坡。不过，技术追赶的节奏与市场需求的变化，仍是决定投资回报的关键变量。以上为分析人士观点，仅供参考。
上市与技术背景
长鑫存储今年7月27日在上海证券交易所科创板上市，募资总额666.07亿元（约99亿美元），扣除发行费用后净募资663.1亿元，较原计划的295亿元超募约368亿元（约55亿美元），创下科创板开板以来的最大募资纪录。据市场资料梳理，公司发行价8.66元，上市首日开盘价即达49.5元，涨幅471.59%，总市值3.31万亿元，一度超过工商银行成为A股上市公司市值第一；666.07亿元的募资额也是2026年亚洲最大的一笔IPO。本次动用的180亿元超募资金约占净募资额的27%，剩余约188亿元超募资金尚未安排用途。
值得一提的是，这次募资的超募比例超过一倍：原计划募资295亿元，实际募资总额666.07亿元，超募约368亿元，创下科创板开板以来的最大募资纪录，也被认为是2026年亚洲最大的一笔IPO。充裕的资金储备，是这次349亿元扩产计划的资金基础。
把时间拉长看，中国存储产业的自主化走了近十年。据市场资料梳理，2016年武汉、合肥、晋江三地几乎同时下注存储芯片；其中晋华集成电路2016年2月在晋江成立，由福建电子信息集团与晋江能源投资集团出资，并与台湾联电达成技术合作，一期投资370亿元，原计划2018年9月实现月产6万片晶圆。但2018年10月29日，美国商务部将其列入实体清单，设备供应中断，生产线陷入停滞，量产计划就此搁浅。十年后，总部位于合肥的长鑫存储成为其中走得最远的一家，也被视为国产存储自主化的核心力量。
就在扩产计划公布前不久，长鑫存储的技术也迎来里程碑。据路透社报道，公司9月20日宣布第五代DRAM平台G5进入量产，并推出两款24Gb LPDDR5X产品。公司称，G5平台每片晶圆可产出的毛芯片数比较上一代至少提升50%。有市场分析指出，这一对比为扩产提供了可量化的经营依据，但执行效果与市场需求将决定新增产能多快转化为利润。
在全球存储市场由三星、SK海力士和美光主导的格局下，长鑫存储被视为中国存储产业自主化的核心力量。本次大规模投资研发与测试产能，预计将进一步缩小其与国际巨头在技术和规模上的差距。
资本市场对扩产计划反应谨慎。据市场数据服务商报道，9月30日长鑫存储股价下跌1.37%，收于54.79元，距离52周高点61.80元仍有约11%的差距，52周低点则为38.11元，股价波动区间较大；公司上半年营收已达1503.1亿元。有市场数据服务商指出，新增资本开支将提高公司的资本密集度，而存储器制造需要长期持续投入，新增晶圆产出转化为销售需要时间，投资者正在评估其对盈利的影响。股价与财务数据来自第三方市场数据服务，仅供参考。
接下来看什么
接下来值得关注的时间点包括：股东大会对两项投资的表决结果；研发项目30个月、测试基地37个月的建设周期能否按计划推进；G5平台量产后的良率爬坡情况、HBM3E产品的开发与量产进展，以及剩余约188亿元超募资金的投向。这些因素将共同决定349亿元投资最终能转化为多少实际产能。需要强调的是，投资方案尚需股东大会批准，最终落地情况以公司官方公布为准。
权威一手来源
南华早报（SCMP）相关报道；长鑫存储向上海证券交易所提交的公告披露；路透社（Reuters），2026年9月20日：长鑫存储第五代DRAM平台量产报道；韩国Aju Press：扩产计划与HBM技术路线分析；财经数据平台对公司公告的梳理；市场数据服务商股价与财务数据。
核验日期：2026-10-07
免责声明
本文基于公开英文一手报道与上市公司公告披露编译整理，事实以原报道和公告为准；市场分析观点已注明出处，不构成投资建议。投资方案尚需股东大会批准，最终落地情况以公司官方公布为准。
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