中国存储芯片龙头长鑫科技9月28日晚间发布公告，拟合计投入349亿元推进两大重点项目建设，分别为高端技术研发项目与存储器晶圆后道测试基地二期项目，持续加码核心技术迭代与自有产能配套。公告发布后，市场对存储芯片超级周期、国产存储产能扩张以及半导体设备产业链的关注度明显升温。需要说明的是，公告本身并未提及设备采购来源，设备国产化是券商研报对产业链的展望，并非公司公告中的承诺，具体内容以下文为准。
事件经过
根据长鑫科技9月28日晚间发布的公告，公司董事会审议通过投资建设两大新项目的议案，项目总投资349亿元。其中，技术研发项目投资总额241亿元，存储器晶圆后道测试基地二期项目投资总额108亿元。两个项目合计使用超募资金180亿元。具体而言，技术研发项目拟使用超募资金130亿元；后道测试基地二期项目拟通过增资和借款方式，向全资子公司长鑫存储产品合肥有限公司提供超募资金50亿元。公告中的长鑫科技为上市公司主体，长鑫存储产品合肥有限公司为其全资子公司，本篇报道标题中的长鑫存储即指这一业务体系，具体项目主体以公告为准。
资金来源方面，长鑫科技首次公开募股募集资金总额666.07亿元，扣除发行费用后净额663.10亿元，较原计划295亿元超募约368亿元。此次公告落地180亿元超募资金的使用方向，剩余约188亿元超募资金的安排仍待后续披露。公司表示，此次投资不新增债务、不稀释股东，以超募资金与自有资金安排为主，具体资金安排以公告为准。
241亿元技术研发项目是本次投资的重心。该项目建设周期为30个月，聚焦动态随机存取存储器制程工艺迭代、产品性能升级等核心技术攻关，持续推动存储芯片在存储密度、功耗控制、读写性能等关键指标上实现突破。公司在公告中表示，构筑核心竞争力与长远发展的根本在于推进产品与制程工艺迭代升级，公司必须依托持续研发投入驱动工艺技术代际演进，确保新产品在存储密度、功耗控制及读写性能上不断实现提升。
108亿元后道测试基地二期项目则指向产能配套短板。该项目将新建专业测试工厂，主要为动态随机存取存储器存储芯片提供晶圆测试、模组组装等核心配套服务。公司明确指出，测试是动态随机存取存储器生产中不可或缺的环节，随着产能提升和产品种类增多，公司可能面临外部封测厂测试产能不足的问题。自建测试产能有助于避免测试环节成为产能瓶颈，同时降低动态随机存取存储器芯片测试成本，进一步完善一体化设计制造模式。公司表示，持续的技术迭代与自主产能配套是企业立足复杂产业格局、筑牢长期发展根基的核心，此次布局自建后道测试产能，可有效破解产能瓶颈，保障供应链自主可控，同时灵活调配测试产能、提升整体运营效率与测试技术水平。
值得留意的是，本次349亿元投资的投向是技术研发与后道测试配套，并非新建晶圆厂房。标题中的扩产应理解为通过研发与测试配套支撑产能释放，而非新增晶圆产能本身。公司现有产能主要分布在合肥两座12英寸动态随机存取存储器晶圆厂与北京亦庄一座工厂，每座工厂月产能约为10万片晶圆，合计约30万片。市场研究机构预计，公司月产能到2026年底约达35万片，到2028年有望增至50万片。作为对比，美光2026年月产量预计约37.5万片。上述产能数据来自市场研究机构的估计，具体以公司官方披露为准。
各方反应
市场对公告的反应较为复杂。截至9月28日收盘，长鑫科技股价收跌4.27%，报53.80元，最新总市值达3.65万亿元，持续稳居A股市值榜首。次日盘中股价有所反弹，午盘收盘报54.85元，涨幅1.95%。股价在公告当日下跌，可能与市场此前对超募资金用途的预期、整体半导体板块走势以及投资者对投资回报周期的判断有关，具体原因市场各方看法不一，本文不作单方面定论。
券商研报对349亿元投资的产业链传导效应给予较多关注。中信证券研报指出，长鑫上市有望持续拉动扩产，设备国产化率有望逐步提升，建议重点关注设备、封测、模组及集成电路载板产业链相关公司。中信建投也持类似判断，认为随着存储产能扩张，新一轮资本开支周期下国产设备、零部件、材料将深度受益。需要强调的是，上述国产设备受益的判断来自券商研报的展望，并非长鑫科技公告中的表述。公告本身没有提出优先采用国产设备的要求，也没有披露设备采购的具体来源与比例，相关设备采购安排以公司后续披露为准。
从盈利情况看，持续投入有业绩支撑。公司2025年全年实现营收617.99亿元，归母净利润18.75亿元；2026年一季度营收508亿元，同比增长719%，归母净利润247.62亿元。另据市场报道，公司2026年上半年营收1503亿元，归母净利润776亿元，毛利率高达84.84%，二季度利润环比增长113%。上半年盈利大幅增长，与人工智能算力需求拉高动态随机存取存储器价格、公司填补巨头向高带宽存储倾斜后留下的通用存储缺口有关。上述半年数据来自市场报道，具体以公司定期报告为准。
下游客户的需求也印证了存储产能紧张的局面。兆易创新将2026年关联交易额度从57亿元上调至78.5亿元，2027年1月至4月预计达44亿元。轻资产设计公司大幅加价抢代工产能，被市场视为动态随机存取存储器产能高度紧张的信号。市场研究机构数据显示，2026年第一季度内存价格较2025年第四季度末已上涨80%至90%，动态随机存取存储器、闪存及高带宽存储全品类价格均创历史新高。国际数据公司预测，2026年全球动态随机存取存储器供应同比增长仅16%，而需求增速达45%，供需缺口预计将持续至2027年上半年。
背景影响
技术成果的持续落地是长鑫科技敢于大额投入的底气。今年9月，公司第五代动态随机存取存储器工艺技术平台正式量产，依托四重曝光技术，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，跻身全球顶尖量产制程行列；通过工艺革新与新材料应用，实现45比1的存储电容深宽比；创新研发的高介电常数金属栅工艺，将核心功能区高度缩减至6762纳米，大幅优化芯片性能与集成度。终端产品方面，今年8月，公司自主研发的新一代低功耗内存成功实现全球首次商用量产，首批产品搭载于小米18折叠旗舰手机。该芯片通过架构创新与数据传输优化，峰值传输速率可达12800Mbps，最高容量16GB，相较上一代产品实现全方位性能跃升。
从全球竞争格局看，存储芯片行业正在经历一轮资本开支高峰。三星、SK海力士、美光2026年合计资本支出接近1200亿美元，均创各自历史新高。SK集团董事长崔泰源甚至公开预警，由于芯片生产存在系统性瓶颈，全球内存芯片短缺很可能持续到2030年。在这一背景下，长鑫科技的349亿元投资被市场视为逆周期布局：测试基地预计2029年投产，恰逢周期可能回落的时点，逆周期投资有望在下一轮景气中占据更大份额。这一判断来自市场分析，实际周期演变仍存在不确定性。
对中国半导体产业链而言，长鑫科技的投资具有较强的传导效应。241亿元技术研发项目将直接拉动半导体设备、材料需求，108亿元后道测试基地则涉及封测环节。国内半导体设备、材料、封测企业有望从中受益，设备国产化进程也可能随之加快。但国产化进程的实际速度取决于设备性能、工艺匹配度与客户验证周期，券商研报的乐观展望并不等于确定的订单与收入，相关公司的实际受益程度以其后续公告与财报为准。
对全球存储市场而言，中国厂商的产能扩张正在改变竞争格局。长鑫科技的月产能正在逼近全球第三的体量，与美光的差距逐步缩小。随着中国厂商在动态随机存取存储器领域的技术与产能提升，全球存储芯片的供给结构、价格形成机制以及产业链分工都可能发生变化。与此同时，国际贸易环境、技术限制与市场周期波动仍是影响行业走向的重要变量。长鑫科技349亿元投资的最终效果，需要结合技术迭代进度、产能释放节奏与市场需求变化来综合观察。
权威一手来源
长鑫科技9月28日晚间发布的项目投资公告；广州日报、红星资本局、每日经济新闻等对公告的报道；市场研究机构关于产能与价格的数据；券商研报对产业链的展望。文中引用的半年业绩与产能数据来自市场报道与机构估计，具体以公司定期报告与官方披露为准。
核验日期：2026-10-13
免责声明
本文基于公开报道整理，仅供信息参考，不构成投资建议。文中涉及的投资金额、项目内容与业绩数据以长鑫科技官方公告与定期报告为准，券商与市场机构的观点为公开报道的汇总，不代表本平台立场。如相关信息存在更新，请以官方最新披露为准。
想第一时间了解美国华人最关心的财经与生活资讯，欢迎关注美国通微信公众号：UUUMGT。
评论前必须登录！
注册